satın almak BYCHPS ile APT33GF120LRDQ2G
Garanti ile satın alın
APT33GF120LRDQ2G
- Parça Numarası:
- APT33GF120LRDQ2G
- Üretici firma:
- Microsemi
- Açıklama:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13373 Pieces
- Veri Sayfası:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür APT33GF120LRDQ2G, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin APT33GF120LRDQ2G e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vgë, Ic @ (on) Vce (Max): | 3V @ 15V, 25A |
| deney Durumu: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (açma / kapama) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| Enerji geçiş: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-264 [L] |
| Dizi: | - |
| Güç - Max: | 357W |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-264-3, TO-264AA |
| Diğer isimler: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | APT33GF120LRDQ2G |
| Giriş tipi: | Standard |
| IGBT Tipi: | NPT |
| kapı Şarj: | 170nC |
| Genişletilmiş Açıklama: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| Açıklama: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Güncel - Kollektör Pulsed (ICM): | 75A |
| Güncel - Collector (Ic) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
APT33GF120LRDQ2G için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | soruşturma |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | soruşturma |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | soruşturma |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | soruşturma |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | soruşturma |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | soruşturma |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | soruşturma |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | soruşturma |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | soruşturma |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | soruşturma |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | soruşturma |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | soruşturma |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | soruşturma |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers