satın almak BYCHPS ile CSD13303W1015
Garanti ile satın alın
CSD13303W1015
- Parça Numarası:
- CSD13303W1015
- Üretici firma:
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşun / RoHS Uyumlu içerir
- Mevcut Miktarı:
- 18893 Pieces
- Veri Sayfası:
- CSD13303W1015.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür CSD13303W1015, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin CSD13303W1015 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±8V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-DSBGA |
| Dizi: | NexFET™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.65W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Diğer isimler: | 296-39990-2 CSD13303W1015-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | CSD13303W1015 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 4.5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
CSD13303W1015 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
|
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | soruşturma |
|
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | soruşturma |
|
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | soruşturma |
|
CSD13385F5T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | soruşturma |
|
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | soruşturma |
|
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | soruşturma |
|
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR | soruşturma |
|
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | soruşturma |
|
CSD13380F3T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | soruşturma |
|
CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | soruşturma |
|
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | soruşturma |
|
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | soruşturma |
|
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers