satın almak BYCHPS ile DMN3018SFG-7
Garanti ile satın alın
DMN3018SFG-7
- Parça Numarası:
- DMN3018SFG-7
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14126 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMN3018SFG-7.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMN3018SFG-7, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMN3018SFG-7 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±25V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerDI3333-8 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 21 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerWDFN |
| Diğer isimler: | DMN3018SFG-7DITR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMN3018SFG-7 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 697pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 13.2nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 8.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
DMN3018SFG-7 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3018SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI | soruşturma |
 |
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | soruşturma |
 |
DMN3018SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI | soruşturma |
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | soruşturma |
|
DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC | soruşturma |
|
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO | soruşturma |
 |
DMN3016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 | soruşturma |
|
DMN3018SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI | soruşturma |
|
DMN3010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 | soruşturma |
 |
DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | soruşturma |
|
DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | soruşturma |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | soruşturma |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog