satın almak BYCHPS ile DMNH10H028SCT
Garanti ile satın alın
DMNH10H028SCT
- Parça Numarası:
- DMNH10H028SCT
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18236 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMNH10H028SCT.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMNH10H028SCT, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMNH10H028SCT e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-220AB |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101 |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.8W (Ta) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | DMNH10H028SCTDI-5 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMNH10H028SCT |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1942pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 31.9nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
DMNH10H028SCT için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | soruşturma |
 |
DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | soruşturma |
|
DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI | soruşturma |
|
DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog