satın almak BYCHPS ile EPC2019ENG
Garanti ile satın alın
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| teknoloji: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
| Dizi: | eGaN® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 50 mOhm @ 7A, 5V |
| Güç Tüketimi (Max): | - |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | 917-1055-2 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | EPC2019ENG |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 200V |
| Açıklama: | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 8.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |