satın almak BYCHPS ile EPC2021
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 14mA |
---|---|
Vgs (Maks.): | +6V, -4V |
teknoloji: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
Dizi: | eGaN® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
Güç Tüketimi (Max): | - |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | Die |
Diğer isimler: | 917-1089-2 |
Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | EPC2021 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1650pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
Açıklama: | TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 90A (Ta) |
Email: | [email protected] |