satın almak BYCHPS ile EPC2021
Garanti ile satın alın
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 14mA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | +6V, -4V |
| teknoloji: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
| Dizi: | eGaN® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Güç Tüketimi (Max): | - |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | 917-1089-2 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | EPC2021 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1650pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Açıklama: | TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 90A (Ta) |
| Email: | [email protected] |