satın almak BYCHPS ile EPC2103ENG
Garanti ile satın alın
EPC2103ENG
- Parça Numarası:
- EPC2103ENG
- Üretici firma:
- EPC
- Açıklama:
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19334 Pieces
- Veri Sayfası:
- EPC2103ENG.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür EPC2103ENG, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin EPC2103ENG e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 7mA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
| Dizi: | eGaN® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Güç - Max: | - |
| paketleme: | Tray |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | 917-EPC2103ENG EPC2103ENGRH7 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | EPC2103ENG |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6.5nC @ 5V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Özelliği: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Açıklama: | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 23A |
| Email: | [email protected] |
EPC2103ENG için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | soruşturma |
 |
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | soruşturma |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | soruşturma |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | soruşturma |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | soruşturma |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | soruşturma |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog