satın almak BYCHPS ile IXFN27N80Q
Garanti ile satın alın
IXFN27N80Q
- Parça Numarası:
- IXFN27N80Q
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13367 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFN27N80Q.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFN27N80Q, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFN27N80Q e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-227B |
| Dizi: | HiPerFET™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 320 mOhm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 520W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Chassis Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFN27N80Q |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 800V 27A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 800V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 27A |
| Email: | [email protected] |
IXFN27N80Q için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | soruşturma |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | soruşturma |
|
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog