satın almak BYCHPS ile IXFN32N100P
Garanti ile satın alın
IXFN32N100P
- Parça Numarası:
- IXFN32N100P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18061 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFN32N100P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFN32N100P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFN32N100P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-227B |
| Dizi: | Polar™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 320 mOhm @ 16A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 690W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Chassis Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFN32N100P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1000V (1kV) 27A 690W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1000V (1kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 27A |
| Email: | [email protected] |
IXFN32N100P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN36N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | soruşturma |
|
IXFN34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN36N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN340N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN360N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog