satın almak BYCHPS ile JAN1N5416US
Garanti ile satın alın
JAN1N5416US
- Parça Numarası:
- JAN1N5416US
- Üretici firma:
- Microsemi
- Açıklama:
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşun / RoHS uyumlu değil
- Mevcut Miktarı:
- 13875 Pieces
- Veri Sayfası:
- JAN1N5416US.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür JAN1N5416US, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin JAN1N5416US e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - İleri (Vf) (Max) @ Eğer: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Gerilim - DC Ters (Vr) (Max): | 100V |
| hız: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Dizi: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Ters Toparlanma Süresi (TAR): | 150ns |
| paketleme: | Bulk |
| Paket / Kutu: | B, Axial |
| Diğer isimler: | 1086-2087 1086-2087-MIL |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı: | -65°C ~ 175°C |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | JAN1N5416US |
| Genişletilmiş Açıklama: | Diode Standard 100V 3A Through Hole |
| diyodu, tip: | Standard |
| Açıklama: | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Güncel - Kaçak @ VR Ters: | 1µA @ 100V |
| Güncel - Ortalama Rektifiye (Io): | 3A |
| Vr, F @ Kapasitans: | - |
| Email: | [email protected] |
JAN1N5416US için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | soruşturma |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | soruşturma |
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | soruşturma |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | soruşturma |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | soruşturma |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog