satın almak BYCHPS ile A2I08H040GNR1
Garanti ile satın alın
A2I08H040GNR1
- Parça Numarası:
- A2I08H040GNR1
- Üretici firma:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Açıklama:
- IC RF LDMOS AMP
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18222 Pieces
- Veri Sayfası:
- A2I08H040GNR1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür A2I08H040GNR1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin A2I08H040GNR1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - Deney: | 28V |
|---|---|
| Gerilim - Anma: | 65V |
| transistör Türü: | LDMOS (Dual) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-270WBG-15 |
| Dizi: | - |
| Güç çıkışı: | 9W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Diğer isimler: | 935320823528 |
| Sesli figür: | - |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | A2I08H040GNR1 |
| Kazanç: | 30.7dB |
| Sıklık: | 920MHz |
| Genişletilmiş Açıklama: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Açıklama: | IC RF LDMOS AMP |
| Güncel Beğeni: | - |
| Güncel - Deney: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
A2I08H040GNR1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | soruşturma |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | soruşturma |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | soruşturma |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | soruşturma |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | soruşturma |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | soruşturma |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | soruşturma |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | soruşturma |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | soruşturma |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | soruşturma |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | soruşturma |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog