satın almak BYCHPS ile BG3123E6327HTSA1
Garanti ile satın alın
BG3123E6327HTSA1
- Parça Numarası:
- BG3123E6327HTSA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13091 Pieces
- Veri Sayfası:
- BG3123E6327HTSA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür BG3123E6327HTSA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin BG3123E6327HTSA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - Deney: | 5V |
|---|---|
| Gerilim - Anma: | 8V |
| transistör Türü: | 2 N-Channel (Dual) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-SOT363-6 |
| Dizi: | - |
| Güç çıkışı: | - |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Diğer isimler: | BG 3123 E6327 BG 3123 E6327-ND SP000014846 |
| Sesli figür: | 1.8dB |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | BG3123E6327HTSA1 |
| Kazanç: | 25dB |
| Sıklık: | 800MHz |
| Genişletilmiş Açıklama: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6 |
| Açıklama: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 |
| Güncel Beğeni: | 25mA, 20mA |
| Güncel - Deney: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
BG3123E6327HTSA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3123H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | soruşturma |
 |
MRF8P8300HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | soruşturma |
 |
MRF7S18125BHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI780 | soruşturma |
 |
MRF6S23140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | soruşturma |
|
BG3123RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | soruşturma |
|
BG3123RE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | soruşturma |
 |
CGH40180PP | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 2.5GHZ 440199 | soruşturma |
 |
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | soruşturma |
 |
MRFE6VS25NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 | soruşturma |
 |
BLF2425M9LS140U | Ampleon USA Inc. | TRANS RF 140W LDMOST | soruşturma |
 |
BLP27M810Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | soruşturma |
 |
MRFG35002N6T1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | soruşturma |
 |
BLF6G10LS-260PRN:1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog