satın almak BYCHPS ile BSO080P03S H
Garanti ile satın alın
BSO080P03S H
- Parça Numarası:
- BSO080P03S H
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12858 Pieces
- Veri Sayfası:
- BSO080P03S H.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür BSO080P03S H, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin BSO080P03S H e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±25V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | P-DSO-8 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 8 mOhm @ 14.9A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.79W (Ta) |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Diğer isimler: | BSO080P03S HDKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
| Üretici parti numarası: | BSO080P03S H |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 136nC @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 12.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
BSO080P03S H için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | soruşturma |
 |
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON | soruşturma |
 |
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | soruşturma |
 |
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | soruşturma |
|
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | soruşturma |
 |
R6020KNX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 | soruşturma |
|
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | soruşturma |
 |
NTHD4N02FT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET | soruşturma |
|
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | soruşturma |
 |
IXTA180N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog