satın almak BYCHPS ile BSS670S2L H6327
Garanti ile satın alın
BSS670S2L H6327
- Parça Numarası:
- BSS670S2L H6327
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15892 Pieces
- Veri Sayfası:
- BSS670S2L H6327.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür BSS670S2L H6327, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin BSS670S2L H6327 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2V @ 2.7µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-SOT23-3 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 360mW (Ta) |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Diğer isimler: | BSS670S2L H6327DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | BSS670S2L H6327 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 55V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 540mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
BSS670S2L H6327 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS670S2LL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | soruşturma |
|
BSS670S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | soruşturma |
 |
2SK2544(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB | soruşturma |
|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | soruşturma |
 |
NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | T6 60V LL DPAK | soruşturma |
 |
HUFA76443S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | soruşturma |
 |
IPB03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | soruşturma |
 |
TK10V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN | soruşturma |
 |
PH6530AL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | soruşturma |
 |
PHW80NQ10T,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | soruşturma |
 |
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog