satın almak BYCHPS ile BSZ0901NSI
Garanti ile satın alın
BSZ0901NSI
- Parça Numarası:
- BSZ0901NSI
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17683 Pieces
- Veri Sayfası:
- BSZ0901NSI.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür BSZ0901NSI, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin BSZ0901NSI e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TSDSON-8-FL |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerTDFN |
| Diğer isimler: | BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSITR SP000853566 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | BSZ0901NSI |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Schottky Diode (Body) |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
BSZ0901NSI için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | soruşturma |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | soruşturma |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | soruşturma |
 |
NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 14A U8FL | soruşturma |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | soruşturma |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | soruşturma |
|
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | soruşturma |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | soruşturma |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | soruşturma |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | soruşturma |
 |
IPP054NE8NGHKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | soruşturma |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | soruşturma |
 |
IRLM220ATF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog