satın almak BYCHPS ile BSZ100N06NSATMA1
Garanti ile satın alın
BSZ100N06NSATMA1
- Parça Numarası:
- BSZ100N06NSATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17307 Pieces
- Veri Sayfası:
- BSZ100N06NSATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür BSZ100N06NSATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin BSZ100N06NSATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.3V @ 14µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TSDSON-8-FL |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerTDFN |
| Diğer isimler: | BSZ100N06NSATMA1-ND BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 14 Weeks |
| Üretici parti numarası: | BSZ100N06NSATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1075pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
BSZ100N06NSATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | soruşturma |
 |
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | soruşturma |
 |
NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 | soruşturma |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | soruşturma |
 |
APTM120SK68T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | soruşturma |
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | soruşturma |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | soruşturma |
 |
RCX160N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 16A TO220 | soruşturma |
 |
IXTH80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 | soruşturma |
 |
NTTD4401FR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO | soruşturma |
 |
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | soruşturma |
 |
SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | soruşturma |
 |
EPC2038 | EPC | TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog