satın almak BYCHPS ile C2M1000170D
Garanti ile satın alın
C2M1000170D
- Parça Numarası:
- C2M1000170D
- Üretici firma:
- Cree
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14279 Pieces
- Veri Sayfası:
- C2M1000170D.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür C2M1000170D, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin C2M1000170D e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | +25V, -10V |
| teknoloji: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247-3 |
| Dizi: | Z-FET™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.1 Ohm @ 2A, 20V |
| Güç Tüketimi (Max): | 69W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | C2M1000170D |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 191pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1700V (1.7kV) 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 20V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1700V (1.7kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
C2M1000170D için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | soruşturma |
 |
MKE11R600DCGFC | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC | soruşturma |
 |
TK11A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS | soruşturma |
|
C2M1000170J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | soruşturma |
 |
IXFH13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 | soruşturma |
 |
IRLU3636PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK | soruşturma |
 |
IRLR8259PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK | soruşturma |
 |
NDS335N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | soruşturma |
 |
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A TO276 | soruşturma |
 |
SI7457DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers