satın almak BYCHPS ile C3M0065100J
Garanti ile satın alın
C3M0065100J
- Parça Numarası:
- C3M0065100J
- Üretici firma:
- Cree
- Açıklama:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13109 Pieces
- Veri Sayfası:
- C3M0065100J.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür C3M0065100J, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin C3M0065100J e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | +15V, -4V |
| teknoloji: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D2PAK-7 |
| Dizi: | C3M™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Güç Tüketimi (Max): | 113.5W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | C3M0065100J |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 15V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1000V (1kV) |
| Açıklama: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
C3M0065100J için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | soruşturma |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | soruşturma |
 |
FQD17N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK | soruşturma |
|
C3M0065090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | soruşturma |
 |
STP35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | soruşturma |
 |
PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | soruşturma |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | soruşturma |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | soruşturma |
 |
PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers