satın almak BYCHPS ile C4D10120E-TR
Garanti ile satın alın
C4D10120E-TR
- Parça Numarası:
- C4D10120E-TR
- Üretici firma:
- Cree
- Açıklama:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14768 Pieces
- Veri Sayfası:
- C4D10120E-TR.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür C4D10120E-TR, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin C4D10120E-TR e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - İleri (Vf) (Max) @ Eğer: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Gerilim - DC Ters (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-252-2 |
| hız: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Dizi: | Z-Rec® |
| Ters Toparlanma Süresi (TAR): | 0ns |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı: | -55°C ~ 175°C |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 4 Weeks |
| Üretici parti numarası: | C4D10120E-TR |
| Genişletilmiş Açıklama: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2 |
| diyodu, tip: | Silicon Carbide Schottky |
| Açıklama: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 |
| Güncel - Kaçak @ VR Ters: | 250µA @ 1200V |
| Güncel - Ortalama Rektifiye (Io): | 33A |
| Vr, F @ Kapasitans: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
C4D10120E-TR için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-MBRB735TRLPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK | soruşturma |
 |
C4D10120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | soruşturma |
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | soruşturma |
 |
MBR16H35-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY TO-220AC | soruşturma |
 |
GP20B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A GP20 | soruşturma |
 |
SS36-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB | soruşturma |
 |
BAT43WS-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | soruşturma |
 |
CMH04(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT | soruşturma |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | soruşturma |
 |
SK15-13-F | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog