satın almak BYCHPS ile DMG3418L-13
Garanti ile satın alın
DMG3418L-13
- Parça Numarası:
- DMG3418L-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18359 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMG3418L-13.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMG3418L-13, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMG3418L-13 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-23 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 60 mOhm @ 4A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.4W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMG3418L-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 464.3pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
DMG3418L-13 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | soruşturma |
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | soruşturma |
 |
DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 | soruşturma |
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | soruşturma |
|
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4A SC59 | soruşturma |
|
DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3A SC59 | soruşturma |
|
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 | soruşturma |
|
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog