satın almak BYCHPS ile DMN1019UVT-13
Garanti ile satın alın
DMN1019UVT-13
- Parça Numarası:
- DMN1019UVT-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13362 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMN1019UVT-13.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMN1019UVT-13, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMN1019UVT-13 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TSOT-26 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.73W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Diğer isimler: | DMN1019UVT-13DI |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMN1019UVT-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2588pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 50.4nC @ 8V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 10.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
DMN1019UVT-13 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | soruşturma |
 |
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 | soruşturma |
 |
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | soruşturma |
 |
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | soruşturma |
|
DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | soruşturma |
 |
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | soruşturma |
 |
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | soruşturma |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | soruşturma |
|
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | soruşturma |
|
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | soruşturma |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | soruşturma |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers