satın almak BYCHPS ile DMN10H170SFDE-13
Garanti ile satın alın
DMN10H170SFDE-13
- Parça Numarası:
- DMN10H170SFDE-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13189 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMN10H170SFDE-13.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMN10H170SFDE-13, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMN10H170SFDE-13 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 660mW (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | DMN10H170SFDE-13DI |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMN10H170SFDE-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
DMN10H170SFDE-13 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | soruşturma |
 |
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | soruşturma |
 |
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | soruşturma |
|
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | soruşturma |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | soruşturma |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | soruşturma |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | soruşturma |
|
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | soruşturma |
|
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog