satın almak BYCHPS ile DMT10H010LSS-13
Garanti ile satın alın
DMT10H010LSS-13
- Parça Numarası:
- DMT10H010LSS-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V SO-8
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17297 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMT10H010LSS-13.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMT10H010LSS-13, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMT10H010LSS-13 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.8V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.4W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMT10H010LSS-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
DMT10H010LSS-13 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | soruşturma |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | soruşturma |
 |
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | soruşturma |
 |
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | soruşturma |
|
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | soruşturma |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | soruşturma |
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | soruşturma |
|
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | soruşturma |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | soruşturma |
|
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | soruşturma |
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers