satın almak BYCHPS ile DMT8012LFG-13
Garanti ile satın alın
DMT8012LFG-13
- Parça Numarası:
- DMT8012LFG-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18340 Pieces
- Veri Sayfası:
- DMT8012LFG-13.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür DMT8012LFG-13, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin DMT8012LFG-13 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerDI3333-8 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerWDFN |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | DMT8012LFG-13 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
DMT8012LFG-13 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 | soruşturma |
 |
MCH6337-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 | soruşturma |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | soruşturma |
 |
DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | soruşturma |
 |
NP109N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 | soruşturma |
 |
TK20N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | soruşturma |
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | soruşturma |
 |
DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6 | soruşturma |
 |
PMXB350UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN | soruşturma |
 |
AO6424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP | soruşturma |
 |
SUD08P06-155L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog