satın almak BYCHPS ile FCP190N60_GF102
Garanti ile satın alın
FCP190N60_GF102
- Parça Numarası:
- FCP190N60_GF102
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 600V TO-220-3
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15883 Pieces
- Veri Sayfası:
- FCP190N60_GF102.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür FCP190N60_GF102, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin FCP190N60_GF102 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-220 |
| Dizi: | SuperFET® II |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 208W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FCP190N60_GF102 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FCP190N60_GF102 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | soruşturma |
 |
FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | soruşturma |
|
FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | soruşturma |
 |
ZVN4206GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | soruşturma |
 |
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | soruşturma |
 |
BS170_D75Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 | soruşturma |
 |
NTMFS4821NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | soruşturma |
 |
SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | soruşturma |
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | soruşturma |
 |
IRLIB9343 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP | soruşturma |
 |
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK | soruşturma |
 |
STP36NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers