satın almak BYCHPS ile FQA11N90C_F109
Garanti ile satın alın
FQA11N90C_F109
- Parça Numarası:
- FQA11N90C_F109
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16632 Pieces
- Veri Sayfası:
- FQA11N90C_F109.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür FQA11N90C_F109, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin FQA11N90C_F109 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-3P |
| Dizi: | QFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 300W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Diğer isimler: | FQA11N90CF109 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FQA11N90C_F109 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 900V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FQA11N90C_F109 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
AON7202 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN | soruşturma |
 |
FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | soruşturma |
|
FQA11N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | soruşturma |
 |
IRFBF30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 | soruşturma |
 |
SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 | soruşturma |
 |
BUK652R7-30C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | soruşturma |
|
FQA11N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | soruşturma |
 |
SI5433BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | soruşturma |
 |
FDZ197PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP | soruşturma |
 |
IRL3502S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | soruşturma |
 |
PH2520U,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK | soruşturma |
 |
FDBL0110N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300A | soruşturma |
|
FDA79N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog