satın almak BYCHPS ile FQD4N25TM_WS
Garanti ile satın alın
FQD4N25TM_WS
- Parça Numarası:
- FQD4N25TM_WS
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17987 Pieces
- Veri Sayfası:
- 1.FQD4N25TM_WS.pdf2.FQD4N25TM_WS.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür FQD4N25TM_WS, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin FQD4N25TM_WS e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D-Pak |
| Dizi: | QFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Diğer isimler: | FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TMWS |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FQD4N25TM_WS |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 250V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FQD4N25TM_WS için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD4N50TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | soruşturma |
 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | soruşturma |
|
FQD4N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | soruşturma |
 |
PHD55N03LTA,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 55A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | soruşturma |
|
FQD4N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog