satın almak BYCHPS ile FQD8P10TM
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±30V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | D-Pak |
Dizi: | QFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler: | FQD8P10TM-ND FQD8P10TMTR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
Üretici parti numarası: | FQD8P10TM |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |