satın almak BYCHPS ile FQI3N80TU
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | I2PAK |
Dizi: | QFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 5 Ohm @ 1.5A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 3.13W (Ta), 107W (Tc) |
paketleme: | Tube |
Paket / Kutu: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Through Hole |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | FQI3N80TU |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 690pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 800V 3A (Tc) 3.13W (Ta), 107W (Tc) Through Hole I2PAK |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 800V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3A (Tc) |
Email: | [email protected] |