satın almak BYCHPS ile GP1M003A090PH
Garanti ile satın alın
GP1M003A090PH
- Parça Numarası:
- GP1M003A090PH
- Üretici firma:
- Global Power Technologies Group
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16866 Pieces
- Veri Sayfası:
- GP1M003A090PH.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür GP1M003A090PH, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin GP1M003A090PH e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | I-Pak |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 94W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Diğer isimler: | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | GP1M003A090PH |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 748pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 900V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
GP1M003A090PH için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | soruşturma |
 |
GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | soruşturma |
 |
GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | soruşturma |
|
GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | soruşturma |
 |
GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | soruşturma |
 |
GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | soruşturma |
|
GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | soruşturma |
|
GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | soruşturma |
|
GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | soruşturma |
|
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | soruşturma |
|
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog