satın almak BYCHPS ile IPB065N15N3GE8187ATMA1
Garanti ile satın alın
IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Parça Numarası:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14748 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPB065N15N3GE8187ATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPB065N15N3GE8187ATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 270µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO263-7 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 300W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Diğer isimler: | IPB065N15N3 G E8187 IPB065N15N3 G E8187-ND IPB065N15N3 G E8187TR-ND SP000939336 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7300pF @ 75V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 150V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPB065N15N3GE8187ATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | soruşturma |
|
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | soruşturma |
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | soruşturma |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | soruşturma |
 |
PMT760EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC-73 | soruşturma |
|
IPB06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | soruşturma |
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | soruşturma |
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | soruşturma |
|
IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | soruşturma |
|
IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | soruşturma |
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog