satın almak BYCHPS ile IPB083N10N3 G
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 75µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO263-2 |
Dizi: | OptiMOS™ |
Id, VGS @ rds On (Max): | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 125W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Diğer isimler: | IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3G IPB083N10N3GATMA1 SP000458812 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
Üretici parti numarası: | IPB083N10N3 G |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 6V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |