IPB123N10N3 G
IPB123N10N3 G
Parça Numarası:
IPB123N10N3 G
Üretici firma:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Açıklama:
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
15991 Pieces
Veri Sayfası:
IPB123N10N3 G.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPB123N10N3 G, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPB123N10N3 G e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile IPB123N10N3 G
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.5V @ 46µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PG-TO263-2
Dizi:OptiMOS™
Id, VGS @ rds On (Max):12.3 mOhm @ 46A, 10V
Güç Tüketimi (Max):94W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diğer isimler:IPB123N10N3 G-ND
IPB123N10N3 GTR
IPB123N10N3G
IPB123N10N3GATMA1
SP000485968
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:12 Weeks
Üretici parti numarası:IPB123N10N3 G
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:35nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):6V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):100V
Açıklama:MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):58A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar