IPB180N04S4L01ATMA1
IPB180N04S4L01ATMA1
Parça Numarası:
IPB180N04S4L01ATMA1
Üretici firma:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Açıklama:
MOSFET N-CH TO263-7
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12057 Pieces
Veri Sayfası:
IPB180N04S4L01ATMA1.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPB180N04S4L01ATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPB180N04S4L01ATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile IPB180N04S4L01ATMA1
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.2V @ 140µA
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PG-TO263-7-3
Dizi:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Id, VGS @ rds On (Max):1.2 mOhm @ 100A, 10V
Güç Tüketimi (Max):188W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Diğer isimler:SP000979928
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:14 Weeks
Üretici parti numarası:IPB180N04S4L01ATMA1
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:19100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:245nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 40V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):40V
Açıklama:MOSFET N-CH TO263-7
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):180A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar