satın almak BYCHPS ile IPB65R190CFDAATMA1
Garanti ile satın alın
IPB65R190CFDAATMA1
- Parça Numarası:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH TO263-3
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18184 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPB65R190CFDAATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPB65R190CFDAATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPB65R190CFDAATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 700µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO263 |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 151W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | SP000928264 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IPB65R190CFDAATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPB65R190CFDAATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | soruşturma |
|
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | soruşturma |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | soruşturma |
|
IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | soruşturma |
|
IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 | soruşturma |
|
IPB65R280E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | soruşturma |
|
IPB65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | soruşturma |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog