satın almak BYCHPS ile IPD12CNE8N G
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 83µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO252-3 |
Dizi: | OptiMOS™ |
Id, VGS @ rds On (Max): | 12.4 mOhm @ 67A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 125W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler: | SP000096477 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | IPD12CNE8N G |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 85V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 67A (Tc) |
Email: | [email protected] |