satın almak BYCHPS ile IPD135N08N3GATMA1
Garanti ile satın alın
IPD135N08N3GATMA1
- Parça Numarası:
- IPD135N08N3GATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 80V 45A
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14786 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPD135N08N3GATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPD135N08N3GATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPD135N08N3GATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 33µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO252-3 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 13.5 mOhm @ 45A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 79W (Tc) |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Diğer isimler: | IPD135N08N3GATMA1DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 14 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IPD135N08N3GATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1730pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) PG-TO252-3 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 80V 45A |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPD135N08N3GATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD135N03LGXT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | soruşturma |
 |
FDA2712 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN | soruşturma |
 |
IPD135N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | LV POWER MOS | soruşturma |
|
IPD135N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD13N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | soruşturma |
 |
IRFU120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | soruşturma |
 |
IRF3315STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | soruşturma |
 |
GP1M011A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 11A TO220 | soruşturma |
|
IPD135N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | soruşturma |
|
STB80NE03L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog