satın almak BYCHPS ile IPD25N06S4L30ATMA1
Garanti ile satın alın
IPD25N06S4L30ATMA1
- Parça Numarası:
- IPD25N06S4L30ATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15750 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPD25N06S4L30ATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPD25N06S4L30ATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPD25N06S4L30ATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 8µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO252-3-11 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 30 mOhm @ 25A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 29W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Diğer isimler: | IPD25N06S4L-30 IPD25N06S4L-30-ND IPD25N06S4L-30TR IPD25N06S4L-30TR-ND SP000481508 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IPD25N06S4L30ATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1220pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 16.3nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPD25N06S4L30ATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | soruşturma |
 |
NTD18N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | soruşturma |
 |
IXFH18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | soruşturma |
 |
IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | soruşturma |
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | soruşturma |
|
IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 | soruşturma |
 |
IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog