satın almak BYCHPS ile IPD50R1K4CEAUMA1
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 70µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO252-3 |
Dizi: | CoolMOS™ CE |
Id, VGS @ rds On (Max): | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
Güç Tüketimi (Max): | 42W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler: | SP001396808 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
Üretici parti numarası: | IPD50R1K4CEAUMA1 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 178pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 500V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 500V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |