satın almak BYCHPS ile IPG20N10S4L35ATMA1
Garanti ile satın alın
IPG20N10S4L35ATMA1
- Parça Numarası:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19703 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPG20N10S4L35ATMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPG20N10S4L35ATMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.1V @ 16µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TDSON-8-4 |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Güç - Max: | 43W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerVDFN |
| Diğer isimler: | SP000859022 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 26 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1105pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 17.4nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A |
| Email: | [email protected] |
IPG20N10S4L35ATMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
 |
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 | soruşturma |
|
IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
 |
IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog