satın almak BYCHPS ile IPI08CNE8N G
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 130µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO262-3 |
Dizi: | OptiMOS™ |
Id, VGS @ rds On (Max): | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 167W (Tc) |
paketleme: | Tube |
Paket / Kutu: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Diğer isimler: | SP000208927 SP000680708 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Through Hole |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | IPI08CNE8N G |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6690pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 99nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 85V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 95A (Tc) |
Email: | [email protected] |