satın almak BYCHPS ile IPP037N08N3GXKSA1
Garanti ile satın alın
IPP037N08N3GXKSA1
- Parça Numarası:
- IPP037N08N3GXKSA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16702 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPP037N08N3GXKSA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPP037N08N3GXKSA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPP037N08N3GXKSA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO-220-3 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 214W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | IPP037N08N3 G IPP037N08N3 G-ND IPP037N08N3G SP000680776 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 14 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IPP037N08N3GXKSA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8110pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 6V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPP037N08N3GXKSA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | soruşturma |
|
IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | soruşturma |
|
IPP03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | soruşturma |
|
IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP032N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog