satın almak BYCHPS ile IPP120N06S4H1AKSA2
Garanti ile satın alın
IPP120N06S4H1AKSA2
- Parça Numarası:
- IPP120N06S4H1AKSA2
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18143 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPP120N06S4H1AKSA2.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPP120N06S4H1AKSA2, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPP120N06S4H1AKSA2 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 200µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO220-3-1 |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 250W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | SP001028780 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 14 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IPP120N06S4H1AKSA2 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPP120N06S4H1AKSA2 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP120N06S402AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N06S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N06S403AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N04S302AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N06S402AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220 | soruşturma |
|
IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1 | soruşturma |
|
IPP120N06S4H1AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | soruşturma |
|
IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog