satın almak BYCHPS ile IPP65R600E6XKSA1
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 210µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO-220-3 |
Dizi: | CoolMOS™ |
Id, VGS @ rds On (Max): | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 63W (Tc) |
paketleme: | Tube |
Paket / Kutu: | TO-220-3 |
Diğer isimler: | IPP65R600E6 IPP65R600E6-ND SP000850500 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Through Hole |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
Üretici parti numarası: | IPP65R600E6XKSA1 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |