satın almak BYCHPS ile IPU60R1K4C6BKMA1
Garanti ile satın alın
IPU60R1K4C6BKMA1
- Parça Numarası:
- IPU60R1K4C6BKMA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Uygulanamaz / Uygulanamaz
- Mevcut Miktarı:
- 17662 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPU60R1K4C6BKMA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPU60R1K4C6BKMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPU60R1K4C6BKMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO251 |
| Dizi: | CoolMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 28.4W (Tc) |
| paketleme: | Bulk |
| Paket / Kutu: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Üretici parti numarası: | IPU60R1K4C6BKMA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Super Junction |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Açıklama: | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPU60R1K4C6BKMA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPU60R2K1CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R600C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 | soruşturma |
|
IPU60R1K5CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251 | soruşturma |
|
IPU60R2K0C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 | soruşturma |
|
IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | soruşturma |
|
IPU60R600C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers