satın almak BYCHPS ile IPZ60R099P6FKSA1
Garanti ile satın alın
IPZ60R099P6FKSA1
- Parça Numarası:
- IPZ60R099P6FKSA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 600V TO247-4
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15968 Pieces
- Veri Sayfası:
- IPZ60R099P6FKSA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPZ60R099P6FKSA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPZ60R099P6FKSA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 1.21mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO247-4 |
| Dizi: | CoolMOS™ P6 |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 278W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-4 |
| Diğer isimler: | SP001313882 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IPZ60R099P6FKSA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3330pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 600V TO247-4 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 37.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPZ60R099P6FKSA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
AON6914 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | soruşturma |
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | soruşturma |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | soruşturma |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | soruşturma |
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | soruşturma |
 |
FQAF19N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF | soruşturma |
 |
STW75NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 | soruşturma |
|
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | soruşturma |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | soruşturma |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | soruşturma |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog