satın almak BYCHPS ile IRD3CH101DB6
Garanti ile satın alın
IRD3CH101DB6
- Parça Numarası:
- IRD3CH101DB6
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13497 Pieces
- Veri Sayfası:
- IRD3CH101DB6.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IRD3CH101DB6, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IRD3CH101DB6 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - İleri (Vf) (Max) @ Eğer: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Gerilim - DC Ters (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
| hız: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Dizi: | - |
| Ters Toparlanma Süresi (TAR): | 360ns |
| paketleme: | Bulk |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | SP001535420 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı: | -40°C ~ 175°C |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IRD3CH101DB6 |
| Genişletilmiş Açıklama: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| diyodu, tip: | Standard |
| Açıklama: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Güncel - Kaçak @ VR Ters: | 3.6µA @ 1200V |
| Güncel - Ortalama Rektifiye (Io): | 200A |
| Vr, F @ Kapasitans: | - |
| Email: | [email protected] |
IRD3CH101DB6 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH11DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH53DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH16DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH11DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH5DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE | soruşturma |
|
IRD3CH16DB6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH16DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH31DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
|
IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE | soruşturma |
|
IRD3CH24DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog