satın almak BYCHPS ile IRFBE20S
Garanti ile satın alın
IRFBE20S
- Parça Numarası:
- IRFBE20S
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşun / RoHS uyumlu değil
- Mevcut Miktarı:
- 15184 Pieces
- Veri Sayfası:
- IRFBE20S.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IRFBE20S, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IRFBE20S e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D2PAK |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | - |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | *IRFBE20S |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IRFBE20S |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 800V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IRFBE20S için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB | soruşturma |
 |
IRFBE30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | soruşturma |
|
IRFBE20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB | soruşturma |
|
IRFBE20STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | soruşturma |
 |
IRFBE20L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262 | soruşturma |
|
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | soruşturma |
|
IRFBE30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | soruşturma |
 |
IRFBE30LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | soruşturma |
|
IRFBE30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | soruşturma |
|
IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | soruşturma |
|
IRFBE20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | soruşturma |
|
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | soruşturma |
|
IRFBE30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog