satın almak BYCHPS ile IXFH10N80P
Garanti ile satın alın
IXFH10N80P
- Parça Numarası:
- IXFH10N80P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15348 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFH10N80P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFH10N80P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFH10N80P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AD (IXFH) |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 300W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFH10N80P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2050pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 800V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 800V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFH10N80P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | soruşturma |
 |
IXFH100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | soruşturma |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | soruşturma |
|
IXFH160N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH10N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH160N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH10N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH10N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers