satın almak BYCHPS ile IXFH20N100P
Garanti ile satın alın
IXFH20N100P
- Parça Numarası:
- IXFH20N100P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16516 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFH20N100P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFH20N100P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFH20N100P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AD (IXFH) |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 570 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 660W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFH20N100P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 126nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1000V (1kV) 20A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1000V (1kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFH20N100P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH28N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 | soruşturma |
 |
IXFH20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | soruşturma |
|
IXFH21N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 | soruşturma |
|
IXFH20N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | soruşturma |
|
IXFH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | soruşturma |
|
IXFH20N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog